碳化硅單晶研究顯微鏡PZ-THG常用的主要是偏光顯微鏡和體視顯微鏡。偏光顯微鏡可用于碳化硅單晶缺陷顯微分析。體視顯微鏡可觀察升華法生長的 SiC 單晶 ,在樣品腐蝕前后所觀察到的微管數(shù)目也可顯微觀察碳化硅單晶宏觀缺陷。
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碳化硅單晶研究顯微鏡PZ-THG常用的主要是偏光顯微鏡和體視顯微鏡。偏光顯微鏡可用于碳化硅單晶缺陷顯微分析。體視顯微鏡可觀察升華法生長的 SiC 單晶 ,在樣品腐蝕前后所觀察到的微管數(shù)目也可顯微觀察碳化硅單晶宏觀缺陷。
序號 |
產(chǎn)品名稱/型號 |
技術(shù)參數(shù) |
1 |
體視顯微鏡/XT-13C |
放大倍數(shù):8.0X-80X 用于觀察微管數(shù)目及宏觀缺陷 |
2 |
偏光顯微鏡/XP-63C |
放大倍數(shù):40X-600X 用于碳化硅單晶微管缺陷顯微分析 |
3 |
數(shù)字?jǐn)z像頭/PZ-800M3G |
800萬像素 具有二維測量功能 |
選配儀器 |
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1 |
自動精密切割機 |
切割速度0.1-5mm/s精確可調(diào),切割精度可達(dá)0.01mm |
2 |
自動精密研磨拋光機 |
研磨拋光≤Ø142mm的圓片或?qū)蔷€長≤142mm的矩形平面 平面度:每20mm×20mm小于0.002mm |
3 |
切割拋光輔料 |
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