單晶微管時(shí)碳化硅單晶生長中不可避免出現(xiàn)的缺陷。微管缺陷的存在會大大影響器件的性能。在研究中除了設(shè)法降低微管缺陷的數(shù)量外，對微管缺陷進(jìn)行表征也很重要。通過對 SiC化學(xué)腐蝕前后的微管缺陷數(shù)量進(jìn)行對比，可以得出一些有益的結(jié)論。
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